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隨著5G基礎建設及電動車快速發展,支援高頻高速且能在高溫環境中運作的氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代寬能隙半導體進入成長爆發期,然而傳統晶片焊接技術出現熱阻抗 ...
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