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NDS332P: P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，-20V，-1A

此类P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用Fairchild 的高单元密度DMOS 专属技术生产 ... 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。 ... 应用注释 (12) · 数据表 (1).

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