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安森美宣布推出全新650 V碳化矽MOSFET - 工商時報

新一代SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿 ... 採用D2PAK7L和To247封裝，具有市場最低的Rdson （12 mOhm）。

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