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三維積體電路之低溫銅對銅接合鉑鈍化層技術平台開發

而以往技術演進主要專注在晶圓前段製程，藉由縮短製程節點(40奈米->28… ... 而在微縮製程的發展下，晶片內電路的寄生電阻與漏電流變得嚴重，為了解決這些問題， ...

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