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穩懋半導體完成「新世代通訊用之半絕緣碳化矽(SI-SiC) 晶圓及 ...

於2019年完成了國內首次100%自製之四吋半絕緣碳化矽(S.I.-SiC)基板，氮化鎵(GaN)磊晶技術開發，和線寬為0.45μm、0.25μm、0.15μm之電晶體元件、場效電板設計及空橋式內連線 ...

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