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太極碳化矽良率
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行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告
一、氮化鎵長在碳化矽(GAN ON SIC)前晶粒製程技術背景介紹. 25. 二、背穿孔製程綜述. ... 當的製程步驟,輕則減低後段背穿孔蝕刻製程良率,重則可能將前.
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