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低相位噪聲寬帶LC壓控振盪器設計 - 每日頭條

摘要： 基於0.13 μm CMOS工藝，設計了一款低相位噪聲寬帶LC壓控振盪器。採用開關電容陣列使VCO在達到寬調諧範圍的同時保持了低相位噪聲。

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