... 型. MOSFET的汲極-源極電壓差VDs 必等於其閘極-源極電壓差VGs與其臨界電壓. V之差。 (e) 增強型(enhancement-type)MOSFET有兩個相互競爭的電場,通過閘極下方絕. 緣層材料 ...
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