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增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅电荷特性 - 氮化镓器件
增强型 GaN MOSFET的制备及其绝缘栅电荷特性. 以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料,具有高击穿电场、高电子饱和漂移速率和高热导率 ...
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