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氧化鍺覆蓋層在二氧化鈦與鋯鈦酸鉛基底之電阻式隨機存取記憶 ...

... 鈦酸鉛基底之電阻式隨機存取記憶體之研究. The Investigation of GeO Capping layer on TiO2 Based and PZT Based Resistive Random-Access Memory. 作者: 周坤億

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