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了解晶圆制造总的四大工艺流程【看了，懂了，不求人】

用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

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