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主張專利法第二十二條第二項第一款或第二款規定之事實,其

四點探針 被引入以量測摻雜半導體層之薄膜. 展不久後. 電阻。 (例如見1954 年42 卷之L.B.Proc.IRE.ASTM 標準. F374;或ASTM 標準卷10.05 之手冊)。為了量測摻質濃度.

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