SiC 碳化矽與GaN 氮化鎵整理與比較 ; 項目, SiC 碳化矽, GaN 氮化鎵 ; 磊晶製成技術, 同質磊晶, 異質磊晶 ; 電壓功率, 1200 V 以上, 900 V 以下 ; 能隙(註1 ...
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