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制程有望推至0.2nm？英特尔展示新堆叠式CFET晶体管架构

SiC晶圆的切片和表面精加工解决方案 制造商在生产高质量SiC衬底时面临着多重挑战。 三星二代3nm芯片比4nm芯片快22% 这是三星首次将其未来的芯片制造工艺 ...

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