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28奈米互補式金氧半金屬閘極製程高壓金氧半場效電晶體

論文名稱(中文):, 28奈米互補式金氧半金屬閘極製程高壓金氧半場效電晶體. 論文名稱(外文):, Floating Field Plate HV-MOSFET by 28nm High-k Metal Gate Process.

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