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【名家專欄】MRAM發展的震撼彈 - 每日頭條

以前為了增加MAE的密度，利用薄膜磁性層與氧化層接口的(interfacial)MAE，讓磁矩垂直於薄膜表面，pSST MRAM名字中的p就是perpendicular的意思。

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