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背面供电是大势所趋 - Redian新闻

首先，在12吋硅晶圆上成长一层硅锗(SiGe)层。这层硅锗材料在接下来进行晶圆研磨(步骤2)时可以当作蚀刻停止层。接下来，在硅锗层上方成长一层薄膜硅 ...

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