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利用反鐵磁性材料提升儲存技術價值

不久前，一支國際科學家團隊在反鐵磁性材料霍爾效應(Hall effect)方面的研究取得了顯著進展，這將為下一代記憶體奠定基礎。由於電子自旋的結果，由於 ...

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