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半導體cd值
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基於散射量測技術的臨界尺寸及輪廓測量 - 電子工程專輯.
2003年1月28日 — 當幾何尺寸低於0.1μm臨界值時,特徵輪廓測量成為控制光刻及蝕刻製程的關鍵因素,它有助於提高量產的良率。 傳統CD測量方法已接近先進半導體元件解析度 ...
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