尤其3D IC新增的矽穿孔(TSV)、晶圓薄化、暫時貼合(Temporary Bonding)和堆疊等製程步驟,更是半導體設備和材料商全力搶攻的重點。 據悉,2.5D矽中介層( ...
確定! 回上一頁