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半導體電子遷移率
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砷化鎵 - MoneyDJ理財網
砷化鎵可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數小,能引入深能級雜質、電子有效質量小,能帶結構特殊,可作磊晶片。 III-V族化合物半導體由週期表三 ...
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