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矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體磊晶技術 - 未來科技館

矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體磊晶技術. ... 此技術可成長5 m厚的氮化鋁鎵高電子遷移率電晶體磊晶層於6吋矽基板上，二維電子氣濃度為8.8×1012 ... 半導體射月計畫 ...

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