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TWI653683B - 半導體結構和高電子遷移率電晶體的製造方法

近年來，氮化鎵系半導體材料已廣泛地應用於發光二極體(light emitting diode，LED)元件、高頻率元件，例如具有異質界面結構的高電子遷移率電晶體(high electron ...

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