你即將離開本站

並前往https://epc-co.com/epc/tw/%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5/%E7%94%9A%E9%BA%BC%E6%98%AF%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5gan

甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解 - EPC Co

高電子遷移率電晶體（HEMT）使用二維電子氣（2DEG），由不同能隙的兩種材料之間的結點構成。與等效矽基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關更快、熱導率更高和導通電阻更 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「半導體電子遷移率」的人也找了：

  1. 電子遷移率公式
    2.
  2. 電子遷移率大小
    3.
  3. 電子遷移率單位
    4.
  4. 電子遷移率公式推導
    5.
  5. 電子遷移率意義
    6.
  6. 電子遷移率溫度
    7.
  7. 電子遷移率電洞遷移率
    8.
  8. 電子遷移率影響
    9.