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質子佈植應用於長波長1.31µm VCSEL 之研製(2/2) 計畫編號

長波長1550 nm 面射型雷射（VCSEL）晶片的下DBR 和InGaAsAs 的. 主動層，並建立了1550 nm VCSEL ... 而其所需之臨界激發光強度為30mW，換算臨界電流密度約為. 2KA/cm2.

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