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半導體退火溫度
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雷射退火Laser Annealing | ProPowertek宜錦科技
對晶背離子植入做退火,使植入離子活化,並修補因離子植入所造成的晶格破壞。 ... 深度只有數um而已, 另外正面的溫度小於50度C,因此,此技術完全不會影響晶圓正面的元件。
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