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半導體製程用濕式化學品的發展趨勢 - 廠務123 分享區

應用於清除矽晶圓表面自然生成的氧化層，可使用稀釋後的氫氟酸（0.49%~2%）或是以氫氟酸與氟化銨所生成的緩衝溶液HF/NH4F=1:200~400，在室溫下進行15~30秒 ...

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