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薄膜沉積過程Our - Mrsysy

薄膜 沉積沉積製程可形成半導體元件中的介電(絕緣)和金屬(導電)材料層。 ... 分子束外延最重要的方面是其低沉積率，通常使薄膜以每小時低於3000納米的速度磊晶生長。

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