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半導體製程技術 - 聯合大學

薄膜. 源材料. Si (多晶). SiH4 (矽烷). 半導體. SiCl2H2 (二氯矽烷；DCS). Si (磊晶) ... CVD製程. ▫ APCVD：常壓化學氣相沉積法. ▫ LPCVD：低壓化學氣相沉積法.

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