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半導體薄膜技術
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薄膜材料與製程實驗室 - 國立彰化師範大學
氮化鎵用於製造半導體功率元件,也可以用於製造射頻元件和發光二極體(LED)。 氮化鎵技術展示出它可以在功率轉換、射頻及模擬應用中,替代矽基半導體技術。
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