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PDF查看 - 物理学报

研究GaAs 等III-V族化合物半导体的生长动力学过程,但关于IV族半导体(Si,Ge) ... △E 为Si 原子迁移的活化能,为耳茲曼常数,D为常数,显然当x' ≥1时,表面上.

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