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金屬氧化物薄膜電晶體電路設計與分析

等益處使得非晶態氧化物半導體成為量產薄膜電晶體的新興材料。 ... 更進一步的將生命期最長(1.26x106s)的元件在變溫下作穩定性測驗，成功的萃取出0.57eV的元件活化能。

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