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CN101636853B - P型ⅲ族氮化物半导体以及 ... - Google Patents

而且，其认为，由该实验求得的活化能实现在室温附近的低电阻率值基本上是不可能的。在本发明的P型III族氮化物半导体中，颠覆了该常识，通过将受主杂质原子浓度设定在特定 ...

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