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半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 450 頁 - Google 圖書結果

場氧化層隔離(Field Isolation)用來測量場氧化層上的多晶矽(Poly)是否因太大電場而開啟 ... 由於 0.25μm 製程以下大都採用 STI 作為主動區的隔離,場隔離能力通常沒有問.

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