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第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析

艾奇遜法為第一個將SiC粉末投入大量製造的方式，其原理如圖7。將氧化矽粉末與有機碳基混合反應物(reaction mixture)置於爐(furnace)中，並使貫穿爐體的 ...

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