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半導體材料應用
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雙成長引擎驅動的第三代半導體材料- 氮化鎵GaN(上)
同為第三代半導體材料,GaN、SiC的差異主要在:. GaN有更快的頻率:適合消費裝置充電、輕油電、混合動力,5G射頻通訊應用; SiC有更高 ...
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