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第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 - 電子工程專輯

SiC功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不僅能使電力移轉時的能源損耗降低80%以上，同時也可讓晶片模組尺寸 ...

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