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微製程概論(IC 及TFT/LCD) - 遠東科技大學

同. 時使摻雜原子擴散到矽晶格上的替代. 位置，有效地活化成具半導體電性功. 能的摻雜原子。最常用的退火方式是. 熱退火的方式，可利用傳統爐管來退. 火，或利用快速退火爐 ...

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