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III-V 稀磁性半導體薄膜之研究與發展

因此，Ⅲ-Ⅴ族為主. 的稀磁性半導體結合了電性、磁性以及光學性質，被. 視為最適合未來自旋電子元件應用的材料。在Ⅲ-Ⅴ. 稀磁性半導體中(例如：Ga1-xMnxAs)，摻雜的Mn 離.

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