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應用於太空電子之高抗輻射半導體技術

3) 成功開發高電壓(3kV)碳化矽功率MOSFET可抗700 kGy珈瑪輻射，導通電流和崩潰電壓減損不到15。同規格的IGBT僅能承受不到1kGy的輻射就有特性的衰退。 產業應用性, 本技術 ...

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