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半導體製程逼近極限未來朝3D化發展| SEMI

但到16奈米，就又碰上其他技術極限，如蝕刻電路的光源寬度、光源所需功率、製程誤差、 ... 技術的3D NAND Flash，讓IC電路朝垂直方向發展，便是突破線寬極限的蹊徑。

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