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圖案化

這項技術使製造商能夠逐步縮小電路及其元件的臨界線寬，進而增加矽晶圓每單位面積 ... 深紫外線光蝕刻波長從248 奈米縮短到193 奈米，且繼續微縮到45 奈米及更小，浸潤 ...

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