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半導體製程技術

生成的缺陷對矽晶電性往往有不良的影響，因此在離子佈植後必須有一段熱處. 理的步驟，以去除晶體中的缺陷或減低其密度。 Page 21. 摻雜( Doping ) –擴散( Diffusion ) ...

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