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微電子和半導體

保護性二氧化矽層生長在含有氧氣（O2）（幹氧化）或氧氣與水蒸氣結合（H2O）（濕法氧化）。 爐內溫度範圍為800 至1,300 o C. 也可以添加氯化氫(HCl) 形式的氯化合物，以幫助 ...

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