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半導體原理
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【5G半導體超新星】氮化鎵GaN是什麼?未來通訊、充電器 ...
氮化鎵GaN與碳化矽SiC同為第三代半導體材料,碳化矽SiC可以在元件上帶來:厚度更薄、低能源耗損、耐超大電流、耐1200V以上的高電壓等諸多優質特性都讓碳化 ...
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