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半導體製程技術

其方法是利用加速器. 將高能量雜質離子植入矽晶表面中。因高能量離子常會破壞矽晶表面晶體結構，造成輻射損傷，. 生成各種缺陷。生成的缺陷對矽晶電性 ...

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