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TWI642144B - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

例如，作為非揮發性記憶體，存在形成由使用了MONOS（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor，金屬-氧化物-氮化物-氧化物-半導體）膜的分裂閘極型的記憶體單元的態樣。此 ...

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