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半導體Oxide etching 製程介紹 - 辛耘企業

一般標準的SiO2的蝕刻液是用6倍的氟化銨( NH4F) 與1倍的氫氟酸( HF )混合而成的緩衝氧化蝕刻劑Buffer Oxide Etching ( BOE ) BOE室溫下的蝕刻速率範圍 ...

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