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構造物、其製造方法、半導體元件及電子電路 - Google Patents
對於實施例2~47之元件,進行各層之膜厚測定時,確認出貴金屬氧化物層之平均結晶粒徑為貴金屬氧化物層之膜厚以下。 圖31中示出實施例5~7之元件之I-V特性評價結果(半對數 ...
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