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以化學氣相沉積法在矽(100)上成長高指向立方碳化矽之研究

論文名稱(中文):, 以化學氣相沉積法在矽(100)上成長高指向立方碳化矽之研究. 論文名稱(外文):, Growth of Highly Oriented 3C-SiC on Si(100) by Chemical Vapor ...

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